现在随着半导体技术的发展，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的高频切换是共模电流产生的源头。目前控制设计越来越小型化，而且越来越精准，但随之带来的附加问题输出的共模电流频率越来越高，最终共模电流会击穿绝缘，最终导致系统的损坏。

他指出当前看到的一些防治共模电流的措施：

第一个是碳刷接地，采用此法非常多。该方案其实是采用了一个导的方案，共模信号不通过轴承，建立通道导到大壁，形成保护，但这个电流没有吸收掉，而且是易损件，要常维护。

第二个是做绝缘轴承或绝缘处理，这是堵的方案，增加阻抗，不让它通过，用绝缘轴承一定程度增强阻抗延缓寿命，但没有把这部分电流彻底吸收掉，问题得不到彻底解决。此外，绝缘轴承使用较多，且绝缘轴承价格较贵。

第三个是用评比电缆或系统接地，这也是导的方案，是铁氧体磁芯方案，在大电流方面并不和适用，一般在通信领域用的比较多。

最后，他认为，纳米晶磁芯是现行比较有效的方案，可以真正把共模电流吸收掉，优势明显，尤其是对后市场，已经装机的设备，这个方案是比较便捷、容易实现，效果显著的措施。而且不用维护，装好基本后基本是一劳永逸。

陈春华会上也阐述了该措施的基本原理，即当不平衡电流(共模电流)穿过的时候，这个不平衡电流会在磁芯内部产生感应电流，然后转化热能散发，会消耗一定的电流。

陈春华还表示，纳米晶磁芯方案的验证在实验室、现场都非常容易实现。

在实验测试中，陈春华测试到的电压和电流波形，IGBT输出的都是PWM的方波，每一个波把它放大，每一次切换会有一个高频的振荡。当他把磁芯装上去之后，观察前后两个波的波形变化，高频振荡在打开的瞬间就没了。

陈春华现场列举了他们之前已经验证产生结果的一个项目，“该轴承已经是腐蚀掉了，我们如果去测试它的共模电流的值，可以看到它的共模电流峰值大概为86万，装两个磁芯以后，它马上变成49，再加一个磁芯又变成了42Amps，这个是在接地器上测得的，在加磁芯前后变化一个是24A，一个是9A。
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